ALD (原子层沉积)技术

ALD(原子层沉积)技术在20世纪末已开发应用在半导体加工制造，ALD技术有低温沉积、高薄膜纯度以及绝佳覆盖率等优点。近年来ALD在半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
原子层沉积技术具有膜层厚度一致、逐层沉积、结合强度好、成分均匀性好等优点,是先进的纳米表面处理技术,具有广阔的应用前景。
作为一项涉及多学科领域的新技术,有许多因素会影响沉积膜层的质量和生产效率,如前驱体材料、形核长大机制、薄膜结构、沉积速率、设备条件等等,其中,前驱体是原子层沉积工艺的基础。 
从ALD技术的基本原理可知,原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器,在沉积基体上化学吸附并发生反应,形成沉积膜的一种方法。前驱体材料是原子层沉积工艺的基础,艾佩科(上海)气体有限公司，提供ALD技术(原子层淀积)所需之前驱体材料(Precursor material)，详见产品介绍。


原子层沉积装置（ALD）过程周期
举例：TMA及O2等离子，使用三甲基铝的ALD过程周期。.
图片是热动过程用的H 2 O或O 2等离子之间变化。