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干法蚀刻技术浅谈（三氯化硼蚀刻）
 
自从1948年发明晶体管之后出现集成电路，半导体器件蚀刻工艺对各种材料进行不同的化学腐蚀来产生线路，但是当线路的尺寸进入微米的时候，湿法蚀刻已无法满足精度和重复性。直到半导体干法蚀刻的发展，使用辉光放电产生的气体等离子来进行腐蚀加工，成为了半导体线路的微化时代。干法蚀刻成为了半导体决定性的革命技术。
 
蚀刻，是将显影后产生的光阻图案转印到光阻下的材料上，形成光刻后的线路图形。湿法蚀刻具有蚀刻材料与光阻及下层材料较优的选择比，但是化学反应并没有方向性，湿法蚀刻会造成overcut，undercut等现象，导致图型不佳。
 
随着晶圆尺寸变大，线路越来越小，还必须要有更高的重复性，干法蚀刻成为如今唯一能够有效的在高良率下工作的工艺，干法蚀刻采用等离子蚀刻技术，使用辉光放电来进行图形转印。
 
艾佩科(上海)气体有限公司提供干法蚀刻所使用的各种气体，其中三氯化硼(BCl3)为我公司强而有力的产品之一，提供半导体级高纯度三氯化硼(BCl3)的产品，欢迎来电洽询。