半导体常用气体介绍
1、硅烷（SiH4）：有毒。硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。
2、锗烷（GeH4）：剧毒。金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。
3、磷烷（PH3）：剧毒。主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。
4、砷烷（AsH3）：剧毒。主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。
5、氢化锑（SbH3）：剧毒。用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。
6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。
7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。
8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。
9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。作为气态磷离子注入源。
10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（TaSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。
11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。用作气态磷离子注入源。
12、三氯化硼（BCl3）：金属蚀刻用气。
13、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。
14、六氟乙烷（C2H6）：在等离子工艺中作为二氧化硅和磷硅玻璃的干蚀气体。
15、全氟丙烷（C3F8）：在等离子蚀刻工艺中，作为二氧化硅膜、磷硅玻璃膜的蚀刻气体。
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半导体常用的混合气体
一、外延（生长）混合气：在半导体工业中，在仔细选择的衬底上选用化学气相淀积的方法，生长一层或多层材料所用的气体叫作外延气体。常用的硅外延气
体有二氯二氢硅（）、四氯化硅（）和硅烷等。主要用于外延硅淀积、氧化硅膜淀积、氮化硅膜淀积，太阳能电池和其它光感受器的非晶硅膜淀积等。外延是一种单晶材料淀积并生长在衬底表面上的过程。常用外延混合气组成如下：
1. 硅烷混合气，混氦气、氩气、氢气、氮气。
2. 二氯二氢硅混合气，混氦气、氩气、氢气、氮气。
3. 乙硅烷混合气，混氦气、氩气、氢气、氮气。
4. 四氯化硅混合气，混氦气、氩气、氢气、氮气。
二、化学气相淀积（CVD）用混合气：CVD是利用挥发性化合物，通过气相化学反应淀积某种单质和化合物的一种方法，即应用气相化学反应的一种成膜方法。依据成膜种类，使用的化学气相淀积（CVD）气体也不同，以下是几类化学气相淀积混合气的组成：
1.半导体膜：(1)硅烷(SiH4)+氢气(H2)
(2)二氯二氢硅(SiH2Cl2)+氢气(H2)
(3)四氯化硅(SiCl4) +氢气(H2)
2.绝缘膜： (1)硅烷(SiH4)+甲烷(CH4)
(2) 硅烷(SiH4)+氧气(O2)
(3) 硅烷(SiH4)+氧气(O2)+磷烷(PH3)
(4) 硅烷(SiH4)+氧气(O2)+乙硼烷(B2H6)
(5) 硅烷(SiH4)+笑气(N2O)+ 磷烷(PH3)
3.导体膜： (1)六氟化钨(WF6)+氢气(H2)
(2) 六氟化钼(MoF6)+氢气(H2)
三、掺杂混合气：在半导体器件和集成电路制造中，将某些杂质掺入半导体材料内，使材料具有所需要的导电类型和一定的电阻率，以制造电阻、PN结、埋层等。掺杂工艺所用的气体称为掺杂气体。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氟化硼、乙硼烷等。通常将掺杂源与运载气体（如氩气和氮气）在源柜中混合，混合后气流连续注入扩散炉内并环绕晶片四周，在晶片表面沉积上掺杂剂，进而与硅反应生成掺杂金属而徙动进入硅。
1.硼化合物：乙硼烷(B2H6)、三氯化硼(BCl3)、溴化硼(BBr3)
2.磷化合物：磷烷(PH3)、三氯化磷(PCl3)、溴化磷(PBr3)
3.砷化合物：砷烷(AsH3)、三氯化砷(AsCl3)
稀释气体氦气、氩气、氢气。
四、蚀刻混合气：蚀刻就是将基片上无光刻胶掩蔽的加工表面（如金属膜、氧化硅膜等）蚀刻掉，而使有光刻胶掩蔽的区域保存下来，以便在基片表面上获得所需要的成像图形。蚀刻方法有湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法化学蚀刻所用气体称为蚀刻气体。蚀刻气体通常多为氟化物气体（卤化物类），例如四氟化碳、三氟化氮、三氟甲烷、六氟乙烷、全氟丙烷等。
1.铝（Al）蚀刻：氯硅烷（SiCl4）+氩、四氯化碳（CCl4）+（氩、氦）
2.铬（Cr） 蚀刻：四氯化碳（CCl4）+氧、四氯化碳（CCl4）+空气
3.钼（Mo）蚀刻：二氟二氯化碳(CCl2F2)+氧、四氟化碳（CF4）+氧
4.铂（Pt）蚀刻：三氟三氯乙烷（C2Cl3F3）+氧、四氟化碳（CF4）+氧
5.聚硅蚀刻：四氟化碳（CF4）+氧、乙烷（C2H6）+氯
6.硅（Si）蚀刻：四氟化碳（CF4）+氧
7.钨（W）蚀刻：四氟化碳（CF4）+氧
五、其他混合气：由于混合气种类繁多，在此就不多列举。艾佩科可为客户定制混合气体，按照客户要求气体的比率，量身定做。
